Item type:Masters Thesis, Open Access

Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium

Thumbnail Image

Files

Masterarbeit.pdf (5.93 MB)

Date

2010-12-02

Authors

Publisher

Philipps-Universität Marburg
DOI

Supervisors

Abstract

Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich zu direkten Halbleitern um eine Größenordnung langsamer. Abschließend konnte optische Verstärkung in dotiertem Germanium nachgewiesen werden.

Review

Metadata

Dates
Created: 2010Issued: 2010-12-02Updated: 2011-01-20
DOI
https://doi.org/10.17192/ed.2011.0001
Faculty
Fachbereich Physik
Publisher
Philipps-Universität Marburg
Language
ger
Data types
MastersThesis
Keywords
SiliziumphotonikHole-RelaxationAC Stark EffectOptical GainSiliconphotonicsGermaniumAnrege-Abfrage-Spektroskopie
DFG-subjects
Optischer GewinMehrphotonen-SpektroskopieNichtlineare SpektroskopieGermaniumInfrarotspektroskopieOptische SpektroskopieSpektroskopie
DDC-Numbers
530
License
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URI
https://open.uni-marburg.de/handle/10.17192/ed.2011.0001
show more
Kolata, Kolja: Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium. : Philipps-Universität Marburg 2010-12-02. DOI: https://doi.org/10.17192/ed.2011.0001.

License

item.page.license.under-copyright
This item has been published with the following license: In Copyright